CAK45-A-50V-0.1uF-K 深圳鑫达利电子供应

如果不分电路的回路阻抗类型,一概降额50%,在回路阻抗比较低的DC-DC电路,一开机就有可能瞬间出现击穿短路或现象.在此类电路中使用的电容器应该降额多少,一定要考虑到电路阻抗值的高低和输入输出功率的大小和电路中存在的交流纹波值的高低.因为电路阻抗高低可以决定开关瞬间浪涌幅度的大小。内阻越低的电路降额幅度就应该越多。对于降额幅度大小,切不可一概而论.必须经过精确的可靠性计算来确定降额幅度.4.5、用电压合适，CAK45-A-50V-0，CAK45-A-50V-0.1uF-K，CAK45-A-50V-0.1uF-K.1uF-K,但峰值输出电流过大。钽电容器在工作时可以安全承受的比较大直流电流冲击I,与产品自身等效串联电阻ESR及额定电压UR存在如下数学关系;I=UR/1+ESR如果一只容量偏低的钽电容器使用在峰值输出电流很大的电路,这只产品就有可能由于电流过载而烧毁.这非常容易理解.在钽电容器的选择过程中，需要考虑电路的需求、性能要求和成本等因素。CAK45-A-50V-0.1uF-K

    赋能：通过电化学反应，制得五氧化二钽氧化膜，作为钽电容器的介质。b)氧化膜厚度：电压越高，氧化膜的厚度越厚，所以提高赋能电压，氧化膜的厚度增加，容量就下降c)氧化膜的颜色：不同的形成电压干涉出的氧化膜的颜色也不同，随着电压的升高，颜色呈周期性化。d)形成电压：经验公式（该公式只能在小范围内提高电压，如果电压提高的幅度很大，就不是很准确，要加保险系数）。(恒压电压);C2------要示的容量C2=KCR(K根据后道的容量收缩情况而定,可适时修改，一般情况下，容量小，后道容量损失较小，容量大，后道容量损失就大，低比容粉，容量损失较小，比容越高，后道容量损失就越大。通常，CR≤1UF，K=；CR>1UF,K=)。 CAK45-A-20V-0.47uF-K钽电容器的结构包括一个阳极和阴极金属板，中间由钽氧化物电介质隔开。

钽电容简介和基本结构固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2,通过石墨层作为引出连接用。钽电容性能优越，能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小，易于加工成小型和片状元件，适宜目前电子器件装配自动化，小型化发展，得到了***的应用，钽电容的主要特点有寿命长，耐高温，准确度高，但耐电压和电流能力相对较弱，一般应用于电路大容量滤波部分。

钽电容与其它电子元件相比，钽电容的优势在于其高稳定性和低漏电流。此外，钽电容的体积小，可以节省空间，并且耐压能力也非常强，可以有效防止电子元件的损坏。在选择钽电容时，需要根据不同的应用场景选择不同规格的型号。例如，对于高稳定性和低漏电流要求较高的场景，可以选择***的钽电容；对于耐压能力要求较高的场景，可以选择较高电压等级的钽电容。钽电容器的使用方法非常简单，只需要将其接入电路中即可。在使用过程中，需要注意电容器的额定电压和电流是否符合电路的要求，以及电容器的温度是否在允许范围内。钽电容内部没有电解液，因此它们不受温度和湿度的影响，可以长时间保持稳定。

钽电容的封装形式也有多种选择，包括直插式、针脚式、片式等。不同的封装形式适用于不同的电路设计和空间要求。与其它电子元件相比，钽电容的价格相对较高。然而，考虑到钽电容的高稳定性和低漏电流等优点，以及其在现代电子设备中的广泛应用，这一成本是值得的。在使用钽电容时，需要注意一些安全问题。例如，不要将钽电容放在高温环境中或者对其进行过度充电，这可能会导致电容器的或起火等危险情况。钽电容具有一定的自放电特性。这种自放电特性可能会导致电容器在长时间未使用后电压降低。然而，这种自放电现象并不会对电容器造成长久性损坏。钽电容的封装形式多样，包括直插式、表面贴装式和针脚式等，以满足不同电路的需求。CAK37-150V-240uF-K-C3

钽电容的外观呈圆柱形或长方形，可以方便地放置在电路板上。CAK45-A-50V-0.1uF-K

电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容，失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效，钽电容失效大部分是由于电路降额不足，反向电压，过功耗导致，主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。CAK45-A-50V-0.1uF-K

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